VAP系列 晶圓級(jí)等離子活化系統(tǒng)
應(yīng)用：晶圓級(jí)封裝前表面預(yù)處理、晶圓級(jí)鍵合前表面活化、光刻膠涂覆前表面活化、晶圓表面較小particle去除、表面有機(jī)殘留去除等。
特點(diǎn)：可兼容多尺寸晶圓、可實(shí)現(xiàn)多反應(yīng)腔室定制、超潔凈反應(yīng)腔室，有效控制各種污染物、整機(jī)空間環(huán)境污染物控制、射頻等離子發(fā)生器或雙頻等離子發(fā)生器、晶圓表面損傷小，可用于帶圖形晶圓的表面活化、等離子體密度高、均勻性好。
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特點(diǎn)：可兼容多尺寸晶圓、可實(shí)現(xiàn)多反應(yīng)腔室定制、超潔凈反應(yīng)腔室，有效控制各種污染物、整機(jī)空間環(huán)境污染物控制、射頻等離子發(fā)生器或雙頻等離子發(fā)生器、晶圓表面損傷小，可用于帶圖形晶圓的表面活化、等離子體密度高、均勻性好。
| 編號(hào) | 內(nèi)容 | 規(guī)格參數(shù) |
|---|---|---|
| 1 | 整機(jī)結(jié)構(gòu) | 帶load port系統(tǒng)分為前端設(shè)備操作單元、前端EFEM單元及等離子處理單元，前端EFEM系統(tǒng)與等離子體處理單元分體式設(shè)計(jì) |
| 2 | 等離子體源 | 射頻等離子體源或雙頻等離子體源 |
| 3 | 反應(yīng)腔室 | 標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)為雙反應(yīng)腔室，可根據(jù)需求定制單反應(yīng)腔室和多反應(yīng)腔室結(jié)構(gòu) |
| 4 | 機(jī)械傳片 | 單臂或雙臂高精度機(jī)械手 |
| 5 | Wafer升降 | 機(jī)械式Wafer pin升降結(jié)構(gòu)，Wafer pin采用特定工藝處理 |
| 6 | 前真空泵 | 干式真空泵，根據(jù)安裝位置及工藝不同，選擇100-300m3/h規(guī)格 |
| 7 | 高真空真空泵 | 分子泵（水冷或CDA冷卻） |
| 8 | 工藝壓力控制 | 自動(dòng)調(diào)壓蝶閥 |
| 9 | 真空檢測(cè) | 管道真空計(jì)、反應(yīng)腔室全量程真空計(jì)、工藝真空計(jì)、壓差開關(guān) |
| 10 | 工藝氣體種類 | 標(biāo)準(zhǔn)配置高純Ar、N2、O2，可增加其他高純工藝氣體 |
| 設(shè)備主要應(yīng)用：晶圓級(jí)封裝前表面預(yù)處理、晶圓級(jí)鍵合前表面活化、光刻膠涂覆前表面活化、晶圓表面較小particle去除、表面有機(jī)殘留去除等。 設(shè)備主要特點(diǎn)：可兼容多尺寸晶圓、可實(shí)現(xiàn)多反應(yīng)腔室定制、超潔凈反應(yīng)腔室，有效控制各種污染物、整機(jī)空間環(huán)境污染物控制、射頻等離子發(fā)生器或雙頻等離子發(fā)生器、晶圓表面損傷小，可用于帶圖形晶圓的表面活化、等離子體密度高、均勻性好。 |
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